战舰开发板 实验37 外部SRAM实验 的疑问

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这是原程序的main函数中加了一句,调用USMART调试的结果

下面是修改了一句代码,原来是2,现在改为了1后

调用USMART调试的结果

 
FSMC_SRAM_WriteBuffer函数中,FSMC_A[0:24]=HADDR[1:25]? 还是FSMC_A[0:24]=HADDR[0:24]?
似乎内存写地址与FSMC地址是一一对应的,并不需要+2

是不是因为数据是8位的?,但在初始化FSMC时选的是FSMC_MemoryDataWidth_16b

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其实这个疑问是在  实验38 内存管理实验  中产生的,因为原子哥定义的
//内存管理控制器
struct _m_mallco_dev
{
 void (*init)(u8);     //初始化
 u8 (*perused)(u8);          //内存使用率
 u8  *membase[2];     //内存池 管理2个区域的内存
 u16 *memmap[2];      //内存管理状态表
 u8  memrdy[2];       //内存管理是否就绪
};
内存管理状态只是用来标记0或1,为什么要用16位的?很占空间吧,我修改成8位的
//内存管理控制器
struct _m_mallco_dev
{
 void (*init)(u8);     //初始化
 u8 (*perused)(u8);          //内存使用率
 u8  *membase[2];     //内存池 管理2个区域的内存
 u8 *memmap[2];      //内存管理状态表
 u8  memrdy[2];       //内存管理是否就绪
};

//内存管理表
u8 mem1mapbase[MEM1_ALLOC_TABLE_SIZE];             //内部SRAM内存池MAP
u8 mem2mapbase[MEM2_ALLOC_TABLE_SIZE] __attribute__((at(0X68000000+MEM2_MAX_SIZE))); //外部SRAM内存池MAP

//内存管理初始化 
//memx:所属内存块
void mem_init(u8 memx) 
{ 
    mymemset(mallco_dev.memmap[memx], 0,memtblsize[memx]);//内存状态表数据清零 
    mymemset(mallco_dev.membase[memx], 0,memsize[memx]); //内存池所有数据清零 
    mallco_dev.memrdy[memx]=1;        //内存管理初始化OK 
}

运行一切都正常

正点原子

这个，其实主要是看你的前面的语句
//在指定地址((WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR))开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)  
{     
*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    
ReadAddr++;
}  
} 
这是寄存器版本的代码。
主要是看*(vu8*)，还是*(vu16*)，来决定是++还是+2.