flash模拟eeprom出现问题

yangweiping

（使用原子哥的例程）  从stm32的flash（使用的是256k 的）地址0x0800 5000开始存入2000个16位数据，并把它在读出了显示，在线仿真查看flash内容在地址0x0800 5e01的地方数据开始出错，在0x080 5e4c的地方又开始有正确数据。

另外，如果存入的数据改为1000个就无法读出数据了， 调试后发现进入HardFault_Handler里死循环了， 查看flash值是上一次的值；存入的数据改为100左右就一切正常。

正点原子

老版本的优点小bug，用最新的，主要是修改了写函数，是一个网友提出来的，如下：
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;    //扇区地址
u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)    
  u16 i;    
u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
STMFLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小   
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1) 
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除     
}
if(i><secremain)//需要擦除
{
STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;   
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.     
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0   
    pBuffer+=secremain;   //指针偏移
WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)    
    NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}  
};
STMFLASH_Lock();//上锁
}

注意这里：
WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)  

原来是没有*2的。

yangweiping

回复【2楼】正点原子:
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原子哥，不是这个问题WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2) ，另外这个有错吧：if(i><secremain)//需要擦除>

正点原子

这个copy过来就傻逼了...汗