战舰STM32开发板 实验34 FLASH模拟EEPROM实验 的问题

50330102

      在文件stmflash.c中  函数void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
    第85行  WriteAddr+=secremain;//写地址偏移应该改为WriteAddr+=(secremain*2);
    该函数代码拷贝自  实验23 SPI实验中flash.c文件中函数void SPI_Flash_Write(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u16 NumByteToWrite)
    验证:
    在main.c文件修改第16行为 #define FLASH_SAVE_ADDR  0X0807F7FE//第254页最后半字地址。编译运行后按下KEY_UP键会显示Start Read FLASH....然后停机，修正后编译运行一切正常

正点原子

这个问题，我明天研究下。

正点原子

回复【楼主位】50330102:
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这个问题,我研究了,确实应该*2,谢谢指正.

grant

回复【楼主位】50330102:
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能否解释一下为什么

50330102

回复【4楼】grant:
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更新页首地址，secremain个 半字 增量