开发板例程：STM32内部FLASH存储疑问？

zds0311 · 发表于 2013-2-21 10:28:25

STM3u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr)
{
u8 res=0;
res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待上次操作结束,>20ms
if(res==0) //res=FLASH->SR; 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。
{
  FLASH->CR|=1<<1;//页擦除
  FLASH->AR=paddr;//设置页地址
  FLASH->CR|=1<<6;//开始擦除
  res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待操作结束,>20ms

  if(res!=1)//非忙     //等待BSY位变为‘0’
  {
   FLASH->CR&=~(1<<1);       //清除页擦除标志.
  }
}
return res;
}
上段程序中，红线处0X5FFF，是怎么算出来的？在FLASH擦除过程中为什么要用40ms那么长时间啊？我现在只需要在第127页首地址0X0801FC00存一个半字，请问上段程序怎么改，能让页擦除时间最短啊？十分感谢！