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为什么要缓冲写flash

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发表于 2017-7-11 08:37:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
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一般分为1K或者几K写一次flash,为什么不可以一边接收一边写flash,接收-写-接收-写...........,是写的时候容易丢包么,那如果波特率低些可以解决么,写 和接收时间和时序能量化聊聊么,实际操作 我还是会缓冲1k写一次,就是想起这个问题,和大家交流下

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发表于 2017-7-11 08:47:15 | 显示全部楼层
按照你这么操作,flash很快就被擦爆了,了解下flash的写入过程吧
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发表于 2017-7-11 08:55:07 | 显示全部楼层
Flash不同EEPROM,只能扇区写、页写等。一个扇区可能就是1K、4K。
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发表于 2017-7-11 09:02:47 | 显示全部楼层
只要任意一个写数据的延迟时间不超过2个通信接收就不会丢包,如果是有fifo或者dma,就是n个接收的延迟时间内都不会丢包,至于为何缓冲写,也是一种习惯了,你就当认为写flash是一种非常阶段,这个阶段打开越少越好
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发表于 2017-7-11 09:17:25 | 显示全部楼层
可以不缓存直接写入。
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发表于 2017-7-11 09:17:26 | 显示全部楼层
可以不缓存直接写入。
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