18b20后面的时间在干嘛？

长虹掩日

这个18b20的时序图，后面的45um是在做什么？不是只有15um的有效读取时间吗？

ba5rw

写时间隙：  
写时间隙分为写“0”和写“1”，。在写数据时间隙的前15uS总线需要是被控制器拉置低电平，而后则将是芯片对总线数据的采样时间，采样时间在15~60uS，采样时间内如果控制器将总线拉高则表示写“1”，如果控制器将总线拉低则表示写“0”。每一位的发送都应该有一个至少15uS的低电平起始位，随后的数据“0”或“1”应该在45uS内完成。

长虹掩日

ba5rw 发表于 2016-11-3 16:45
写时间隙：  
写时间隙分为写“0”和写“1”，。在写数据时间隙的前15uS总线需要是被控制器拉置低电平，而 ...

我这明明是读数据······orz。那个master sample 黑方块就是读数据的表示。

ba5rw

长虹掩日 发表于 2016-11-3 17:55
我这明明是读数据······orz。那个master sample 黑方块就是读数据的表示。

那45微秒就是主机采样所需的时间了。