原子STM32 串口IAP例程中的一处BUG？

cookles

最近在写STM32 的Bootloader， 所以看了一下原子开发板上的那个串口IAP例程。我的Mini板子，MCU是STM32F103RBT6.
我使用了例程中写FLASH 的函数:
iap_write_appbin(FLASH_APP1_ADDR,USART_RX_BUF,applenth);//更新FLASH代码

我的目的是一次写2K数据，但是总是写了1K后面1k写不进去？ 后来调试的时候发现是檫除失败返回了  FLASH_ERROR_PG，就是下图中标号1的函数：

我调用这个函数的参数是这样的:
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite); //函数原型
                         |
STMFLASH_Write(0x0801F800,DataBuff,1024); //地址 0x0801F800 表示写的区域是FLASH的最后2K， DataBuff 为数据缓存， 1024 是数据长度，2K字节 转换成半字 就是1024

问题：
1. 檫除的函数什么情况下会返回这个FLASH_ERROR_PG 错误。
2. 标号2 的代码是不是应该改成: WriteAddr+=secremain*2;//secremain 是按 u16 来算的， 而WriteAddr 应该是按u8 来算的。 我改了这行后程序就正常了。  

笙歌余生

给力。谢谢解决了我困扰了一周的问题。那些256以上的芯片估计都是一页写完了，没继续运行到这个bug

eagles321

注意看函数开头

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif


小于256KB的片子，记得修改STM32_FLASH_SIZE定义