请问STM32H562的FLASH写入问题

qq710524290

这是原子的代码，这个地方不明白，请教！！！

阿侑kevin

字节，字，双字分别是多少位？

664929323

这样写的原因：
1. 写地址 "waddr += 4;" 的原因
STM32内部Flash是按字节寻址的，1个WORD（32位/4字节）数据占用4个字节的存储空间，因此每写入一个WORD，地址需要向后偏移4字节，才能写入下一个WORD，所以每次自增4。
2. 缓冲区地址 "(uint32t)&pbuf[i]" i4的原因
这和C语言数组的寻址规则有关：
- 数组"pbuf"如果是"uint32t"类型的数组，"pbuf[i]"本身就已经等价于"(pbuf + i4)"（编译器会自动根据数组元素类型计算偏移，每个uint32t元素占4字节）。
- 代码这里直接写"&pbuf[i]"取地址是正确写法，它本身已经得到了第i个WORD元素的正确缓冲区地址，不需要手动乘4。
如果"pbuf"是uint8t类型的字节数组，才需要手动"i*4"来偏移到第i个WORD的起始位置，这是适配不同数组类型的写法。
简单总结这个写法的逻辑：一次写入4个WORD，每个WORD占4字节，所以目标Flash地址每次+4；缓冲区地址直接通过数组下标取值就可以得到对应位置的地址，符合C语言的数组寻址规则。