「技术文章」国产MCU GD32和STM32的区别

电子爱好者it · 发表于 2024-3-4 15:01:45

一、前言

GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的，不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了，下面我给大家讲一下不同的地方。

二、区别1、内核

GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。

2、主频

使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M
使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。

3、供电

外部供电：GD32外部供电范围是2.6~3.6V，STM32外部供电范围是2~3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

4、Flash差异

GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：

0等待周期，当0<SYSCLK<24MHz，

1等待周期，当24MHz<SYSCLK≤48MHz，

2等待周期，当48MHz<SYSCLK≤72MHz。
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms，实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

5、功耗

从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

6、串口

GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。

后续详见：「必看干货」浅谈GD32与STM32之间的区别 (eepw.com.cn)https://www.eepw.com.cn/zhuanlan/203533.html