fmsc初始化死机问题请教大神

sjh666

用100脚的F103VB进行FSMC初始化，然后程序死在初始化函数里面了有没有大神碰到过，详细情况马上发出（见2楼3楼），谢谢


感觉就是一执行FSMC_Bank1->BTCR。。。。就死机重启了

引脚编号	PD	PE
0	DB2
1	DB3
2
3
4	RD(NOE)
5	WR(NWE)
6
7	CS(NE1)	DB4
8		DB5
9		DB6
10		DB7
11	CD(A16)
12
13
14	DB0
15	DB1

file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\865712120\QQ\WinTemp\RichOle\85F3N9$G853$I41SM(FZWPI.png


file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\865712120\QQ\WinTemp\RichOle\D(3M947`_W_@QOHG0TE)OK1.png

sjh666

FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;
                        FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;
                        FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  writeTiming;
                              
                  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写时序
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &writeTiming;  //写时序
      FSMC_NORSRAMStructInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
               
                        readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x01;         //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns
                        readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到      
                        readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x0f;                 // 数据保存时间为16个HCLK,因为液晶驱动IC的读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。
                        readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
                        readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
                        readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
                        readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;         //模式A
                              
                        writeTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;         //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK  
                        writeTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         //地址保持时间（A               
                        writeTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;                 ////数据保存时间为4个HCLK      
                        writeTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
                        writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
                        writeTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
                        writeTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;         //模式A
                       
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;//  这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[6],[7]。
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; // 不复用数据地址 FSMC_DataAddressMux_Disable
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM   
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;//存储器数据宽度为16bit   
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
            FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
                       
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;        //  存储器写使能
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;   
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; // 读写使用不同的时序
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写时序
                        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &writeTiming;  //写时序
     
                  FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置




跑库函数FSMC_NORSRAMInit（）这个函数执行不下去，点了一个灯，看到是
FSMC_Bank1->BTCR[FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_Bank] =
            (uint32_t)FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_DataAddressMux |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_MemoryType |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_MemoryDataWidth |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_BurstAccessMode |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_AsynchronousWait |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_WaitSignalPolarity |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_WrapMode |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_WaitSignalActive |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_WriteOperation |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_WaitSignal |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_ExtendedMode |
            FSMC_NORSRAMInitStruct->FSMC_WriteBurst;
           程序死在这里

sjh666

   //寄存器清零
                                //bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。
                                //这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[0],[1]。      
                                       
                                FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
                                led_bit=1;
                                FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
                                FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;
                              
                                //操作BCR寄存器        使用异步模式
                                FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<12;                //存储器写使能
                                FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<14;                //读写使用不同的时序
                                FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<4;                 //存储器数据宽度为16bit            
                                //操作BTR寄存器      
                                //读时序控制寄存器                                                            
                                FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0<<28;                //模式A                                                                             
                                FSMC_Bank1->BTCR[1]|=1<<0;                 //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns(实际>200ns)                  
                                //因为液晶驱动IC的读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。
                                FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0XF<<8;          //数据保存时间为16个HCLK                  
                                //写时序控制寄存器  
                                FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<28;         //模式A                                                                     
                                FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<0;                //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK
                                //4个HCLK（HCLK=72M）因为液晶驱动IC的写信号脉宽，最少也得50ns。72M/4=24M=55ns           
                                FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=3<<8;         //数据保存时间为4个HCLK      
                                //使能BANK1,区域4
                                FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<0;                //使能BANK1，区域1

跑寄存器则是发现，程序死在
FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
                                led_bit=1;
FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;

真是不可爱

可以参考下我们的程序，可能是时序问题

sjh666

真是不可爱 发表于 2023-8-30 09:26
可以参考下我们的程序，可能是时序问题

您好，目前库函数和寄存器的程序都是仿照原子哥的程序改的，另外还有一个问题，如果外设没有接入，会影响初始化程序往下运行吗，谢谢

sjh666

之前原理图上传错误，现在补充一下，哪位大神可以帮忙看看，谢谢

sjh666

自己拿144脚的片子和原子哥对应的FSMC程序试了一下，FSMC不连接外设也可以完成初始化
用100脚的不连接外设仍然死机在本帖提到的位置，是不是得考虑换个片子了

sjh666

不要沉啊，网上查的到的办法都试了，就卡在初始化过不去，哪位大神遇到过指点一下不胜感激

qq1646544

不明觉厉

sjh666

最新进展没啥招了准备换一个片子试试，就是搞不清楚为啥一执行FSMC_Bank1->BTCR。。。。就死机。还完片子以后带来后续

sjh666

来更新一下情况，换了一个片子还是不行，初始化还是死在FSMC_Bank1->BTCR。。。。

准备先用GPIO直接驱动了

sjh666

FSMC初始化死机问题仍未解决，改用GPIO口直接搭显示时序三天搞定显示一切正常速度也很OK