对SDRAM所有bank充电有什么缺点？

无量寿经

《原子教你玩FPGA》第22章，OV7725摄像头VGA显示实验，
                        `W_PRE:begin    //预充电指令
                                sdram_cmd_r <= `CMD_PRGE;
                                sdram_ba    <= sys_addr[23:22];
                                sdram_addr  <= 13'h0400;
0x0400= 100 0000 0000  ，最低位算作bit0，bit10位为1代表对所有bank充电，当bit10位为0代表只对当前bank充电。因为乒乓操作需要在不同bank间来回切换，所以需要给所有bank充电。前面章节sdram读写测试实验不需要乒乓操作，因此bit10为0，即只对当前bank充电即可。
疑问：对SDRAM所有bank充电有什么缺点？凡是SDRAM例程是否都可以对所有bank充电，让代码通用性更强？

QinQZ

预充电就是关闭当前操作的bank，可以对所有BANK进行预充电，缺点就是预充电的时间长短不一样全局预充电时间要稍微久一点