GPIO推挽模式输出时，写寄存器使IO输出低，但外部电路使其强拉到高？

TONYFISHER · 发表于 2023-4-7 22:18:11

“GPIO推挽模式输出时，写寄存器使IO输出低，但外部电路使其强拉到高”
看不懂这句话，对还是不对？什么时候会遇到这种情况？

LcwSwust · 发表于 2023-4-8 09:12:25

比如你把IO口接到3.3V去

hzhanhai · 发表于 2023-4-8 15:21:30

容易烧坏IO口

warship · 发表于 2023-4-8 22:41:30

推挽模式输出时，
是两个MOS管交互工作，
写寄存器使IO输出低，
PMOS管截止，NMOS管导通，
此时IO口对地电阻就是NMOS管的导通电阻，
大约30Ω，如果外部电路使其强拉到高，
必须用一个小的电阻，比如10Ω，
NMOS管将承受约100mA的灌入电流，
非常容易烧坏这个NMOS管。

TONYFISHER · 发表于 2023-4-11 15:13:21

warship 发表于 2023-4-8 22:41
推挽模式输出时，
是两个MOS管交互工作，
写寄存器使IO输出低，

受教了，多谢

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