STM32G031，flash读写操作，debug正常，离线运行不行

jjhan

如题
对page30页写了一个数，上电时读取，debug时是可以运行的，离线就不行了，以下是我的代码
如果不对flash进行操作，是可以正常运行的，求解

uint64_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)
{
        return (*(uint64_t*)faddr);
}


uint32_t flash_page_erase(uint32_t page)
{

        uint32_t flashEraseRet = 0;
        HAL_StatusTypeDef halRet;
        FLASH_EraseInitTypeDef flashEraseInitType;

        flashEraseInitType.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
        flashEraseInitType.Banks = FLASH_BANK_1;
        flashEraseInitType.Page = page;
        flashEraseInitType.NbPages = 1;
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP| FLASH_FLAG_OPTVERR |FLASH_FLAG_PGSERR| FLASH_FLAG_WRPERR |FLASH_FLAG_PGAERR);
       
        __disable_irq();
        halRet = HAL_FLASHEx_Erase(&flashEraseInitType, &flashEraseRet);
        __enable_irq();
        return halRet;
}


HAL_StatusTypeDef flash_write(uint32_t address, uint64_t data)
{
  HAL_StatusTypeDef ret = HAL_OK;
        HAL_StatusTypeDef halRet;

  HAL_FLASH_Unlock();
        halRet = flash_page_erase(30);
        //__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP| FLASH_FLAG_PGSERR | FLASH_FLAG_WRPERR |FLASH_FLAG_PGAERR);
  ret = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, address , data);
  HAL_FLASH_Lock();

  return ret;
}

jjhan

解决了
flash读写之间要加延时，以为先读后写不需要延时的

lpwithv

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