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STM32F407ZET6的VDDA的去耦电容为何数据手册上面用的是100nF+1μF,但是电路板上用的是100nF+10μF呢

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发表于 2022-4-1 22:03:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
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发表于 2022-4-2 10:17:06 | 显示全部楼层
10uF+100nF去耦用的最普遍。当然要是省成本也可以用1uF+100nF,
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 楼主| 发表于 2022-4-2 11:21:39 | 显示全部楼层
c2007s 发表于 2022-4-2 10:17
10uF+100nF去耦用的最普遍。当然要是省成本也可以用1uF+100nF,

最普遍是什么意思?是说10uF+100nF的去耦效果比数据手册上面的100nF+1μF效果要好吗
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发表于 2022-4-2 21:32:45 | 显示全部楼层
是的。10uf+100nF比1uF+100nF效果要好。
10uf电容对于滤除低频杂波效果比1uF好。
因为:电容阻抗Z=1/(2*3.14*f*C),
在较低的频率下,同样的频率10uf的电容阻抗小十倍,干扰信号直接滤掉了。
50HZ干扰信号(含其倍频)太普遍了,1uF过滤能力比10uf弱得多啊。
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