STM32 到的FALSH模拟EEPROM的功能烧录的起始地址必须是ox800 0000吗

tuxiaoli110

STM32 到的FALSH模拟EEPROM的功能烧录的起始地址必须是ox800 0000吗各位大神请教个问题：目前做串口IAP功能遇到个问题

我将falsh划分为四块：0x800 0000——0x800 FFFF   存放Bootload 程序
                                0x801 0000——0x801 FFFF   存放APP1程序
                                0x802 0000——0x802 FFFF   存放APP2程序
                                0x803 0000——0x803 FFFF    存放APP1中存放的一个变量值；

APP1程序的烧录地址起始变为0x801 0000  大小为0x10000 64K，其产生的一个值通过flash模拟eeprom存放到固定地址0x803 6000中，执行完成之后在读取0x803 6000中的值，发现读取不成功，但是如果把APP1的烧录起始地址改为0x800 0000，就可以成功这是为何？


FALSH模拟eeprom采用的是原子哥的官方历程：如下：
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
        return *(vu16*)faddr;
}
#if STM32_FLASH_WREN        //如果使能了写   
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{                                           
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToWrite;i++)
        {
                FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
            WriteAddr+=2;//地址增加2.
        }  
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif                 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103ZET6  FLASH为512KB//、、???? 实际上应该是0-255
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)   假如是5K ，5%2==1K。。也就是1024Bit
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {       
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0          
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };       
        FLASH_Lock();//上锁
}
#endif

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)          
{
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToRead;i++)
        {
                pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
                ReadAddr+=2;//偏移2个字节.       
        }
}

//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)          
{
        STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}



.H文件定义如下：

#define STM32_FLASH_SIZE 256                          //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define STM32_FLASH_WREN 1              //使能FLASH写入(0，不是能;1，使能)
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000         //STM32 FLASH的起始地址



u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr);                  //读出半字  
void STMFLASH_WriteLenByte(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite,u16 Len);        //指定地址开始写入指定长度的数据
u32 STMFLASH_ReadLenByte(u32 ReadAddr,u16 Len);                                                //指定地址开始读取指定长度数据
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);                //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);                   //从指定地址开始读出指定长度的数据

//测试写入
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData);                                                                  
#endif

#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000         //STM32 FLASH的起始地址

我把.H文件中的#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000        
？？？？这里把起始地址改为0x801 0000 也不行 不知道为什么