Stm32f405的内部FLASH读写为什么会导致RAM中的数据发生改变，求指导，谢谢

ZHANGPENG1

在学习STM32f4系列芯片时，发现对内部Flash芯片进行读操作后，会导致存放在RAM中的数据发生改变，而且根据对Flash上一次操作的不同，会导致RAM中数据改变的值也不同，求指导一下原因。
如果上次对Flash操作为擦除操作的话，会导致0x2000000b-0x2000000e内的值变为55,若上次操作为写操作话，改变的数据未发现规律，但每次的值都一样，地址也是相同地址。对应代码截图了，求大佬指导一下

千湖

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jiangyy 发表于 2020-10-20 17:07
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代码保护区是那个区？