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关于STM32F103单片机的用户数据的读取模式讨论。

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发表于 2019-7-25 18:06:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
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大家好,小弟在公司做产品哈。我有一个小问题想请教哈。我们做产品的时候,会有需要保存用户的数据,例如用户打开某一路开关或者关闭某一路开关等操作,但是用户要求我们把开关状态数据存在本地,方便掉电重启后可以保持开关状态。
那么,我们遇到了一个问题,我们每次执行一次开关,就要去写入一次FLASH ,而且每次都是2K的写入,这样效率低下,而且听说FLASH有读写次数限制,那么请问,我们应该怎么做一种最优的方案了,减少读写FLASH的次数。我们想过采用PVD的方案。
但是 有两个问题,第一    PVD 掉电进不来中断。第二  就是掉电的时候能维持把FLASH写完吗?



请赐教。

最佳答案

查看完整内容[请看2#楼]

3.3v gnd 上 电压5.5V 1F(1法拉电容)的电量为5.5C(库伦), 假设电压下限是3.8V单片机还能正常运行,电容放电的有效电压差为5.5-3.8=1.7V,所以有效电量为1.7C。 1.7C=1.7A*s(安秒)=1700mAs(毫安时)=0.472mAh(安时) 若电流消耗以100mA计算,1700mAs/100mA=17s(维持时间)。
正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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发表于 2019-7-25 18:06:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 nashui_sx 于 2019-7-28 16:44 编辑
andychen 发表于 2019-7-28 16:24
请问 在那里加大电容呀、?

3.3v gnd 上

电压5.5V 1F(1法拉电容)的电量为5.5C(库伦),
假设电压下限是3.8V单片机还能正常运行,电容放电的有效电压差为5.5-3.8=1.7V,所以有效电量为1.7C。
1.7C=1.7A*s(安秒)=1700mAs(毫安时)=0.472mAh(安时)
若电流消耗以100mA计算,1700mAs/100mA=17s(维持时间)。
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发表于 2019-7-25 19:54:08 | 显示全部楼层
本帖最后由 nashui_sx 于 2019-7-25 19:55 编辑

pvd可以的,注意是反向的掉电是上升记得,加个大电容能维持写完的,加个超大电容运行一天都没问题的
至于你的频繁读写,弄个大的,写个策略每次换区域写就好了
//EXTI_Trigger_Rising        ---表示电压从高下降到低于设定阀值时产生中断;
//EXTI_Trigger_Falling       ---表示电压从低上升到高于设定阀值时产生中断;
//EXTI_Trigger_Rising_Falling---表示电压上升或下降越过设定阀值时都产生中断。

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发表于 2019-7-25 20:44:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 warship 于 2019-7-25 20:46 编辑

你这种情况根本不需要使用到FLASH。
STM32内部有一组后备寄存器,
就像内部寄存器一样可以反复读写,非常适合像你这种需要保持开关状态的需求。
只需要一颗纽扣电池,
就可以保证掉电以后不会丢数据。

我的开源链接 https://github.com/ShuifaHe/STM32.git  请关注,点赞支持哦。
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 楼主| 发表于 2019-7-27 08:44:48 | 显示全部楼层
warship 发表于 2019-7-25 20:44
你这种情况根本不需要使用到FLASH。
STM32内部有一组后备寄存器,
就像内部寄存器一样可以反复读写,非常 ...

可是,我的数据比较大,有3K到4K的数据。
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发表于 2019-7-27 12:34:26 | 显示全部楼层
andychen 发表于 2019-7-27 08:44
可是,我的数据比较大,有3K到4K的数据。

用户要求我们把开关状态数据存在本地,方便掉电重启后可以保持开关状态

开关状态数据居然有3K,真有你们的。
我的开源链接 https://github.com/ShuifaHe/STM32.git  请关注,点赞支持哦。
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 楼主| 发表于 2019-7-28 16:23:33 | 显示全部楼层
warship 发表于 2019-7-27 12:34
用户要求我们把开关状态数据存在本地,方便掉电重启后可以保持开关状态

开关状态数据居然有3K,真有你 ...

不止这些哈。还有一些状态数据,这个应用比较复杂。
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 楼主| 发表于 2019-7-28 16:24:15 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-7-25 19:54
pvd可以的,注意是反向的掉电是上升记得,加个大电容能维持写完的,加个超大电容运行一天都没问题的
至 ...

请问 在那里加大电容呀、?
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 楼主| 发表于 2019-7-28 17:27:19 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-7-28 16:41
3.3v gnd 上

电压5.5V 1F(1法拉电容)的电量为5.5C(库伦),

哦哦。您是说单片机3.3V的供电上面加一个大电容哈。我们3.3V的路上有一个470uf的大电容。
那我看一下我的代码。
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 楼主| 发表于 2019-7-28 17:29:50 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-7-25 19:54
pvd可以的,注意是反向的掉电是上升记得,加个大电容能维持写完的,加个超大电容运行一天都没问题的
至 ...

void PVD_Configuration(void)
{
    NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
    EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;

    /* Enable PWR and BKP clock */
    RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);


    /* Enable the PVD Interrupt */
    NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQn;
    NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0;
    NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;
    NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
    NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);


    /* Configure EXTI Line16(PVD Output) to generate an interrupt on rising and
       falling edges */
    EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);
    EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;
    EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
    EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising_Falling;
    EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
    EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
    /* Configure EXTI Line to generate an interrupt on falling edge */



    /* Configure the PVD Level to 2.9V */
    PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9);

    /* Enable the PVD Output */
    PWR_PVDCmd(ENABLE);
}

/**
  * @brief  This function handles the PVD Output interrupt request.
  * @param  None
  * @retval None
  */
void PVD_IRQHandler(void)
{
  if(EXTI_GetITStatus(EXTI_Line16) != RESET)
  {

        if(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO)==0)
        {                                         
                                //高于阈值
        }
        else                                    
        {
                        //低于阈值
        }      
        PWR_ClearFlag(PWR_FLAG_PVDO);
    /* Clear the Key Button EXTI line pending bit */
    EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);
  }
}
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 楼主| 发表于 2019-7-28 20:11:08 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-7-28 16:41
3.3v gnd 上

电压5.5V 1F(1法拉电容)的电量为5.5C(库伦),

而且我都试过了。三个参数都没用。我用debug ,然后设置断点,然后断电,进不进去断点,三个参数一次都试过。
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 楼主| 发表于 2019-7-28 21:37:19 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-7-28 16:41
3.3v gnd 上

电压5.5V 1F(1法拉电容)的电量为5.5C(库伦),

而且是正点原子 精英版的板子测试的。
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发表于 2019-7-28 21:41:34 | 显示全部楼层
andychen 发表于 2019-7-28 20:11
而且我都试过了。三个参数都没用。我用debug ,然后设置断点,然后断电,进不进去断点,三个参数一次都试 ...

你就不能实际跑下,非要仿真
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 楼主| 发表于 2019-7-29 08:34:06 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-7-28 21:41
你就不能实际跑下,非要仿真

实际页跑了。就是我如果进入到掉电中断后,电量板子上面的LED ,我检测了。没有闪烁过。
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 楼主| 发表于 2019-7-29 15:53:05 | 显示全部楼层
谢谢,我已经解决了。您说的是对的。
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