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关于FLASH写入会多字节的问题!!!!

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发表于 2019-7-23 16:24:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
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STMFLASH_Write((sum*30)+0x08020000,(u16*)&save,30);
写入函数是原子历程,我这里是只写30个字节,但我查看keil发现会在30个字节后面多出将近30个0x00的字节数?
我想不明白是为什么。下面是调用的函数


//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif                 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {       
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0          
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };       
        FLASH_Lock();//上锁
}


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解决了原子的历程复制那里的FOR循环有问题,secremain要除以个2不然会多出一倍的字节数
正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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 楼主| 发表于 2019-7-23 16:24:52 | 显示全部楼层
解决了原子的历程复制那里的FOR循环有问题,secremain要除以个2不然会多出一倍的字节数
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发表于 2019-7-23 18:28:34 | 显示全部楼层
开始写入数据的flash的地址是?
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 楼主| 发表于 2019-7-24 08:32:17 | 显示全部楼层
peng1554 发表于 2019-7-23 18:28
开始写入数据的flash的地址是?

就是用变量不停改变写入地址,这么一说好像可能出在这,我看下
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