快速了解RFD12N06RLESM9A二三事

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快速了解RFD12N06RLESM9A

      这些N沟道逻辑电平ESD保护的功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。
      该工艺采用与LSI集成电路相近的特征尺寸，可以最佳地利用硅，从而实现出色的性能。它们设计用于逻辑电平（5V）驱动源，用于可编程控制器，自动控制，开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器和双极晶体管的发射极开关等应用。
      这种性能是通过特殊的栅极氧化设计实现的，该设计可在3V至5V范围内的栅极偏置下提供全额定电导，从而RFD12N06RLESM9A直接从逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。以前开发的pme ntal型TA09861。

特点
·12A，60V
·rDS（ON）= 0.1352
·静电盘受到保护
·UIS额定曲线（单脉冲）
·针对5V栅极驱动而优化的设计
·相关文献
-TB334“将表面贴装元件焊接到PC板上的指南”
·超低导通电阻
-rDS（ON）= 0.0632，VGS = 10V
-rDS（ON）= 0.0712，VGS = 5V
·仿真模型
- 温度补偿PSPICE @和SABER @电气模式ls
- Spice和S ABERO Themal Irmpedance模型
·峰值电流与脉冲宽度曲线
·UIS评级曲线
·切换时间与RGS曲线