2N7002K-T1-GE3规格参数介绍

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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍

属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 0.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.35 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.45 mm  
长度: 2.9 mm  
系列: 2N7002K  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 1.6 mm  
商标: Vishay / Siliconix  
正向跨导 - 最小值: 100 mS  
CNHTS: 8541210000  
HTS Code: 8541210095  
MXHTS: 85412101  
产品类型: MOSFET  
工厂包装数量: 3000  
子类别: MOSFETs  
TARIC: 8541210000  
典型关闭延迟时间: 35 ns  
典型接通延迟时间: 25 ns  
零件号别名: 2N7002K-GE3  
单位重量: 8 mg

零一春风数声

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