SST26VF064B-104I/SM高速低功耗串行64M专业20年代理MICROCHIP(SST)

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宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2018年最新批次,交期快,原厂原装现货，可提供技术支持SST26VF064B-104I/SM是一款串行64M(8M*8位)存储器,使用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造，单电压操作和读写2.7-3.6V，快速读取访问时间：104MHz，低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ,存储器SOIC8引脚,芯片可以擦写10,000次，数据可保留100年，产品可以耐高温85度，耐低温零下40度，更多产品资料请与在线客服联系。

SST26VF064B-104I/SM高清图，细节图，原厂原装现货供应

SST26VF064B-104I/SM基本参数技术设计参考

RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8
工厂包装数量	90
单位重量	540 mg
制造商	Microchip Technology
系列	SST26 SQI®
包装方式	管件
寿命周期	在售
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH
存储容量	64Mb （8M x 8）
时钟频率	104MHz
写周期时间 - 字，页	1.5ms
存储器接口	SPI - 四 I/O
工作电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
工作温度范围	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

SST26VF064B-104I/SM标准包装4500/包，现货实物销售

SST26VF064B-104I/SM串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25/26系列串行flash来讲，它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点.

SST26VF064B-104I/SM产品特点:     

              *  操作电压：2.7-3.6V或者3.0-3.6V读和写操作

    *  4线串行接口结构

    *  具有wrap-around特点的连续字节读操作

    *  低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型)

    *  灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase，32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力

    *  快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型)

    *  字节编程：14us(典型)

    *  最大操作时钟频率可达50MHz

    *  对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程

              *  通过WP#引脚可实现硬件写保护

SST26VF064B-104I/SM更多型号选型列表

型号（Device）	容量（Density）	电压（Voltage）	时钟速度（MHz）	封装（Packages）
SST25VF512A	512Kb(64Kx8)	2.7-3.6V	33	SOIC-8,WSON-8
SST25VF010A	1Mb(128Kx8)	2.7-3.6V	33	SOIC-8,WSON-8
SST25VF020B	2Mb(256Kx8)	2.7-3.6V	80	SOIC-8,WSON-8
SST25VF040B	4Mb(512Kx8)	2.7-3.6V	50	SOIC-8,WSON-8
SST25VF080B	8Mb(1Mx8)	2.7-3.6V	50	SOIC-8,WSON-8
SST26VF016B	16Mb(2Mx8)	2.7-3.6V	104	SOIC-8,WSON-8
SST26VF032B	32Mb(4Mx8)	2.7-3.6V	104	SOIC-8,WSON-8
SST26VF064B	64Mb(8Mx8)	2.7-3.6V	104	SOIC-8,WSON-8