EEPROM地址读写程序，延长EEPROM寿命

wbyrnygrysc

最近做项目需要采集一些数据并且做到掉电保存，但是读写频率太高放弃了使用EEPROM和FLASH，改用RTC历程内的BKP寄存器存数据。
参考原子哥的程序已经实现了EEPROM的读写，并且在查找资料后实现了EEPROM全地址轮流写入的功能，最后项目中没有用到。
参考资料：https://blog.csdn.net/jxgxlm2008/article/details/51880799

手头只有一块普中的板子，所以没有使用战舰版进行测试，芯片是ZET6理论上和战舰版通用，只有LED和按键引脚不一样需要修改。

程序很简单，只有两个函数，读和写。
具体实现思路：1.将EEPROM内256个字节地址拆分成16个长度为16字节的区域，由于原子哥的程序里面检查EEPROM是否损坏的程序使用了255地址，所以我只使用了这16个区域的前15个，最后一个区域只进行255地址的读写。
2.每个区域的首地址写入固定的值（如0xAA）,作为标志位。首地址之后的14个地址存数据，最后一个地址做校验用。
3.每次对0x10的整数倍地址先进行读取，当读取到0xAA时，表示该地址对应的区域内数据有效，读出所有数据。
4.当遍历所有地址都没有读取到0xAA，则判定EEPROM内数据为空，在0x00地址写入0xAA，并在0x01 - 0x10写入数组内数据。