新手上路
- 积分
- 23
- 金钱
- 23
- 注册时间
- 2018-1-11
- 在线时间
- 1 小时
|

楼主 |
发表于 2018-1-11 16:04:45
|
显示全部楼层
DTR电平置低(-3--12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变高(+3-+12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM5连接成功@115200bps,耗时610毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000417 芯片已设置读保护 芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护 开始去除读保护(全片擦除时间会比较长,请耐心等候!) 去除读保护,并擦除成功 DTR电平置低(-3--12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变高(+3-+12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM5连接成功@115200bps,耗时625毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000417 芯片已设置读保护 第687毫秒,已准备好 开始编程芯片,共需写入8KB,耗时687毫秒 写入出错在0KB,进度100%,耗时718毫秒 |
|