【求助】关于FRAM替代EEPROM的芯片测试方案

candura

之前在论坛里面发帖问了关于如何延长EEPROM寿命的问题，原子哥给我推荐了FRAM来替代。
前两天在某公司申请的FRAM样片到了，今天就拿来做测试。
我原本的测试方案就是跟以前测试EEPROM一样，
“读写数据后最对比，若数据一致则记录一次成功，重复记录N次直至数据不一致”

但是进行测试的时候，我突然意识到一个问题。我在FRAM的介绍里面看到说：

“FRAM读写次数超限之后它只是不再有非易矢性，但是还能当做普通的RAM来用。”

那是不是就是说，只要一直上电着的话，后面没有非易失性之后，只要一直通电还是能够正确读写。
所以如果要把它当EEPROM来测试的话，按理说是要“写入数据后断电再上电后读取数据，比较是否一致，一致则计数”。

然后重复测N次得到非易失性的有效读写次数。

但是又不能直接拿STM32的引脚来驱动FRAM芯片的VCC，又不能老是手动断电上电这么来测，这下有点找不准方向了。

想知道论坛里面各位大神有没有什么好的测试方案木有。。。

simms01

我早用FRAM替代 EPROM记录数据 FRAM读写速度快 可以单独读写一个字节 而且寿命还可以。我测试过100万次写入读出是没啥问题 我用的是富士通的


貌似FRAM超过一定写入寿命 会产生坏点，我购买材料的时候（用的是256k字节的) 正品是11元  拆机的分2种 1种特别便宜 只要3.5元 买回来测试 很多地址是写进去和读出来不一致的。 1种9元 是经过电脑测试的 但是貌似也有一定坏点（几率不高）


你可以进行一次寿命测试 例如100万次 读写 然后掉电 再上电看有无坏点 就知道了