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FMC_SDRTR寄存器

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发表于 2017-8-3 12:16:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
关于FMC_SDRTR寄存器里的公式描述貌似有问题。

FMC_SDRTR寄存器

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发表于 2019-12-12 18:39:23 | 显示全部楼层
我也有点看不懂这段公式的描述,我现在说下我的思路吧:
文档第341页说到SDRAM内部有一个行地址生成器(也称刷新计数器)用来自动的依次生成要刷新的行地址。刷新周期为64ms,所以这一情况需要告知FMC,让FMC去操控SDRAM的刷新。
1.已知SDRAM的刷新周期为64ms,行数为8192.所以刷新每行速率为:刷新周期/行数 = 64ms/8192=7.81us/行。
2.count的意思代表刷新一行需要多少个SDRAM周期,也就是每过一个SDRAM时钟周期COUNT就减一,直到减到0,开始刷新下一行。
SDRAM的时钟频率为:192MHZ/2=96MHZ(超频12MHZ)。
所以周期为1s/96MHZ=10.4ns。
已知刷新一行需要7.81us,那么也就是刷新每行需要7.81us/10.4ns=750 个SDRAM时钟周期。
3.为了获得充足的余量要加20个周期我能理解,但是为啥写750-20=730.而不是750+20=770呢?
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发表于 2020-1-26 18:54:18 | 显示全部楼层
同问,并且想问一下这里为什么要超频到192M?看代码里设置的时钟是180啊
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发表于 2021-12-30 16:48:06 | 显示全部楼层
wjqqq 发表于 2020-1-26 18:54
同问,并且想问一下这里为什么要超频到192M?看代码里设置的时钟是180啊

这应该只是举例,实际程序中是按照180算的
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