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OV2640 写寄存器相关的操作

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发表于 2017-5-13 16:57:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

无标题.png
C语言学的不是很好,希望各位朋友闲暇之余能够帮忙解答一下疑惑,谢谢!
问题描述:
1)SCCB_WR_Reg(0XFF,0X01);        在这个写寄存器的操作的函数中的两个入口参数,第一表示的所写寄存器的起始地址,那么第二个入口参数所表示的含义是什么?
2)不太明白代码这样操作的意思
temp&=0XF0;
temp|=((endy&0X03)<<2)|(sy&0X03);
SCCB_WR_Reg(0X03,temp);                                //设置Vref的start和end的最低2位
SCCB_WR_Reg(0X19,sy>>2);                        //设置Vref的start高8位
SCCB_WR_Reg(0X1A,endy>>2);                        //设置Vref的end的高8位
问题有点多,麻烦大家了
正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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发表于 2017-5-15 10:30:22 | 显示全部楼层

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问题1.第一个参数是地址,第二个参数就是设置对应这个地址的寄存器值
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发表于 2017-5-15 10:33:39 | 显示全部楼层

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第二个问题,就是代码阅读理解嘛,组合0x03寄存器的低4位,其中endy占2,3位,sy占0,1位
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发表于 2017-5-15 10:35:22 | 显示全部楼层

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具体参数为什么要设置这些值,应该看OV2640的手册
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发表于 2017-5-15 10:38:45 | 显示全部楼层

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在原子提供的资料盘中,就随附有相关的手册,我这里是在光盘目录:\7,硬件资料\4,OV5640资料\中
当然我这个板子上的资料是OV5640的
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发表于 2017-5-15 10:39:24 | 显示全部楼层

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好了,25分拿完走人
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 楼主| 发表于 2017-5-15 11:16:30 | 显示全部楼层
zmingwang 发表于 2017-5-15 10:33
第二个问题,就是代码阅读理解嘛,组合0x03寄存器的低4位,其中endy占2,3位,sy占0,1位

还有一个问题:
这个语句中SCCB_WR_Reg(0X19,sy>>2);                        //设置Vref的start高8位
sy右移两位后,怎样看出来是设置的是高8位呢?是因为右移2位后,右侧溢出,新的最高两位用0填充吗?如果若是这样的话,那么这样操作设置的高8位,可以起到什么样的作用效果呢?如若不是的话,麻烦大神帮忙解释一下这样操作的作用!!!谢谢!!
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发表于 2017-5-15 11:29:18 | 显示全部楼层

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bangding
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 楼主| 发表于 2017-5-15 11:34:44 | 显示全部楼层

能说的详细一些吗?谢谢!
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发表于 2017-5-15 18:59:25 | 显示全部楼层
dewei1094043547 发表于 2017-5-15 11:16
还有一个问题:
这个语句中SCCB_WR_Reg(0X19,sy>>2);                        //设置Vref的start高8位
...

要看手册啊同学,这种写法,就是说,sy的低2位在0x03寄存器,高8位在0x19寄存器,那么意思就是sy这个值的有效位是10位的
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 楼主| 发表于 2017-5-15 20:53:45 | 显示全部楼层
嗯嗯,看见您回复的帖子,梳理一些盲点,今天多谢帮助!!!
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